IGBT全稱為Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管），是一種電子器件，可用作中高壓開(kāi)關(guān)和逆變器，廣泛應(yīng)用于電力電子和交通運(yùn)輸領(lǐng)域。

IGBT是由MOSFET和雙極晶體管（BJT）兩種器件的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合而成，其主要特點(diǎn)是具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通電壓。它是一種可控開(kāi)關(guān)，能夠在開(kāi)關(guān)時(shí)承受高電壓和高電流，并且具有快速的開(kāi)關(guān)速度。

IGBT主要由一個(gè)N型材料Emitter、一個(gè)P型材料Collector和一個(gè)N型材料Gate組成。Gate電壓的變化能夠控制Collector到Emitter的電流，將IGBT電流從零到最大進(jìn)行控制調(diào)節(jié)。IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)需要控制電路的門(mén)電壓，同時(shí)Gata-to-Emitter電壓需要在0-15V之間，而在飽和區(qū)時(shí)會(huì)有0.7V左右的壓降。

IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括風(fēng)電、電動(dòng)汽車、數(shù)控機(jī)床、UPS電源、電力變換器等，在這些應(yīng)用場(chǎng)合中，能夠使電力系統(tǒng)效率更高，同時(shí)在城市高速公路及軌道交通中得到廣泛應(yīng)用。