電容器主要特性參數(shù)：標稱電容量和允許偏差；標稱電容量是標志在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據(jù)用途選齲
額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。
絕緣電阻
直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時,主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。
損耗
電容在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
電容的時間常數(shù)：為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導有關(guān),而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。
頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

電容器是電子設(shè)備中常用的電子元件,下面對幾種常用電容器的結(jié)構(gòu)和特點作以簡要介紹,以供大家參考。
1：薄膜電容器
結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路
2：鋁電解電容器
它是由鋁圓筒做負極、里面裝有液體電解質(zhì),插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理,做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負極性,適于電源濾波或低頻電路中,使用時,正、負極不要接反。
3：獨石電容器
多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器,高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
4：瓷介電容器
穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。
5：微調(diào)電容器
電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整,并可在調(diào)整后固定于某個電容值。瓷介微調(diào)電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。
6：紙質(zhì)電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量;一般在低頻電路內(nèi),通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高,穩(wěn)定性也好,適用于高壓電路
7：陶瓷電容器
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
8：云母和聚苯乙烯電容
云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東,結(jié)構(gòu)簡單,但穩(wěn)定性較差。
線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復(fù)調(diào)試的場合使用。