一、IGBT爆炸是由于某些原因造成模塊損耗大導(dǎo)致熱量散不出去，內(nèi)部溫度升高導(dǎo)致的產(chǎn)生氣體沖破外殼的爆炸。

二. IGBT爆炸原因分析

1.模塊本身內(nèi)部發(fā)熱過(guò)大

2.其他因素：進(jìn)出線接錯(cuò)，電源接錯(cuò)，負(fù)載大
3.常見(jiàn)原因： (1)過(guò)電流 ：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。 (2)絕緣損壞 (3)過(guò)電壓 ：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感。 (4)過(guò)熱 ：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗

增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。 (5)通訊誤碼率 a.通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使 IGBT爆炸b.通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸4其他原因(1)電路中過(guò)流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。

(2)IGBT短路保護(hù)是通過(guò)檢測(cè)飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us(8倍過(guò)流)在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動(dòng)單元里的IGBT。

(3)工藝問(wèn)題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。

(4)短時(shí)電流過(guò)大

(5)驅(qū)動(dòng)電源：該隔離加隔離、該濾波加濾波。

(6)電機(jī)沖擊反饋電壓過(guò)大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。

(7)電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過(guò)大致使IGBT爆炸