旁路電容和去耦電容，很多時候用戶老是搞混。知名電容廠商VDTCAP電容技術總監解釋如下：
在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。對于同一個電路來說，旁路(bypass)電容是把輸入信 號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。
A：旁路電容：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是通過產生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能(帶寬受限)。
B：去耦電容：去除在器件切換時從高頻器件進入到配電網絡中的RF能量。去耦電容還可以為器件供局部化的DC電壓源，它在減少跨板浪涌電流方面特別有用。在電源和地之間連接著去耦電容，它有三個方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產生的高頻噪聲，切斷其通過供電回路進行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構成干擾。
高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來確定。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。

每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=’1’/F，即10MHz 取0.1μF，100MHz取0.01μF。

電容器選用及使用注意：

A在振蕩電路、延時電路、音調電路中，電容器容量應盡可能與計算值一致。在各種濾波及網(選頻網絡)，電容器容量要求精確;在退耦電路、低頻耦合電路中，對同兩級精度的要求不太嚴格。

B 一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時，可選用紙介、滌綸電容器;在高頻高壓電路中，應選用云母電容器或瓷介電容器;在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。

C優先選用絕緣電阻高，損耗小的電容器，還要注意使用環境。

D電容器額定電壓應高于實際工作電壓，并要有足夠的余地，一般選用耐壓值為實際工作電壓兩倍以上的電容器。

上海工品實業有限公司具有多年電容器銷售經驗，歡迎來電咨詢13564830031