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]]>系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和晶圓級(jí)封裝(WLP)等方案，從”后道工序”升級(jí)為協(xié)同設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。核心差異在于三維空間利用和微縮互連技術(shù)。
傳統(tǒng)封裝采用引線鍵合，而先進(jìn)封裝使用：
– 硅通孔(TSV)：垂直穿透硅晶圓建立高速通道
– 微凸點(diǎn)(Microbump)：實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)焊點(diǎn)間距
– 重布線層(RDL)：在晶圓表面重構(gòu)電路布局
這種轉(zhuǎn)變使互連密度提升百倍，信號(hào)傳輸距離縮短至毫米級(jí)。據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2023年先進(jìn)封裝市場(chǎng)增速是傳統(tǒng)封裝的6倍。(來(lái)源：Yole Développement)
扇出型封裝(Fan-Out) 技術(shù)消除基板限制，讓芯片面積縮小40%的同時(shí)增加引腳數(shù)量。手機(jī)處理器通過(guò)該技術(shù)實(shí)現(xiàn)CPU與內(nèi)存的極短距離互連。
混合鍵合(Hybrid Bonding) 技術(shù)將銅對(duì)銅直接鍵合間距降至微米級(jí)，使數(shù)據(jù)傳輸帶寬較焊球提升10倍以上。(來(lái)源：TechInsights)
3D IC堆疊 將存儲(chǔ)單元與邏輯單元垂直整合，內(nèi)存訪問(wèn)延遲降低至傳統(tǒng)封裝的1/5。HBM內(nèi)存采用此技術(shù)實(shí)現(xiàn)超500GB/s的帶寬。
Chiplet架構(gòu) 通過(guò)將大芯片拆解為模塊化小芯片：
– 不同工藝節(jié)點(diǎn)芯片可混合封裝
– 良品率提升顯著降低成本
– 加速產(chǎn)品迭代周期
嵌入式微通道冷卻 技術(shù)直接在封裝內(nèi)集成冷卻流道，散熱效率較傳統(tǒng)散熱片提升3倍。導(dǎo)熱界面材料(TIM) 的升級(jí)使熱阻降低60%。(來(lái)源：Fraunhofer研究所)
人工智能芯片依靠CoWoS封裝集成邏輯芯片與HBM內(nèi)存，訓(xùn)練效率提升50%。5G射頻模塊通過(guò)AiP天線封裝將天線植入芯片內(nèi)部，減少信號(hào)衰減。
技術(shù)演進(jìn)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)：
1. 互連密度向亞微米級(jí)持續(xù)微縮
2. 光電共封裝(CPO)技術(shù)進(jìn)入商用
3. 晶圓級(jí)系統(tǒng)集成成為新方向
隨著基板上芯片(CoB) 技術(shù)成熟，芯片與基板的界限逐漸模糊，封裝正從”保護(hù)殼”進(jìn)化為”性能增強(qiáng)器”。
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