高頻低損耗KEMET電容在5G基站功放中的應用

5G基站的大規(guī)模MIMO技術(shù)需要在有限空間內(nèi)集成數(shù)十個功率放大器通道。每個功放模塊的供電質(zhì)量直接影響信號質(zhì)量和能效比。高頻低損耗電容在5G基站功放電源中扮演著不可替代的角色。

KEMET T521系列五款高頻優(yōu)化產(chǎn)品：T521D686M025ATE070（68μF/25V）、T521T336M016ATE045（33μF/16V）、T521T336M016ATE050（33μF/16V）、T521T336M016ATE050765（33μF/16V）、T521V107M016ATE050（100μF/16V）。

T521T系列采用T型封裝優(yōu)化高頻性能，在數(shù)MHz頻率范圍內(nèi)保持極低阻抗。以T521T336M016ATE050為例，其在1MHz頻率下的ESR低于0.05Ω，能夠有效抑制功放開關(guān)產(chǎn)生的紋波干擾。

5G基站通常部署在戶外環(huán)境中，這些產(chǎn)品的工作溫度范圍覆蓋-55°C至+125°C，能夠承受高溫基站艙和低溫嚴寒的雙重考驗。其SMD封裝支持高密度PCB布局，幫助基站設備實現(xiàn)小型化和輕量化。